GCMX080A120B2T1P
1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
GCMX080A120B2T1P Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Chassis Mount
Supplier Device Package：
-
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Package / Case：
Module
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
29A (Tc)
Operating Temperature：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 5mA
Technology：
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Configuration：
6 N-Channel (Phase Leg)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 10A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1400pF @ 800V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
56nC @ 18V
Power - Max：
103W (Tc)
